SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

სპეციფიკაციები

  • სერია
    E
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    600 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    35A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    80mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    63 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2557 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    227W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220AB
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

SIHP080N60E-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 7418
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
4.60000
სამიზნე ფასი:
სულ:4.60000