SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    25 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    20.1A (Ta), 40A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    +16V, -12V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1090 pF @ 12.5 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6

SIAA00DJ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 37743
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.27072
სამიზნე ფასი:
სულ:0.27072

Მონაცემთა ფურცელი