SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    21.5mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    11.5nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    425pF @ 10V
  • სიმძლავრე - მაქს
    1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIA938DJT-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 29384
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.70000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.70000