SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    12V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    4.5A
  • rds on (max) @ id, vgs
    28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    16nC @ 8V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    455pF @ 6V
  • სიმძლავრე - მაქს
    7.8W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIA910EDJ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 33093
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.62000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.62000

Მონაცემთა ფურცელი