SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N and P-Channel
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V, 12V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    1.5A, 4.5A
  • rds on (max) @ id, vgs
    225mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    2.2nC @ 5V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    -
  • სიმძლავრე - მაქს
    5W, 7.8W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIA777EDJ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 44360
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.23017
სამიზნე ფასი:
სულ:0.23017

Მონაცემთა ფურცელი