SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    8 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    12A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    1.2V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs
    9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    800mV @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    25.2 nC @ 5 V
  • vgs (მაქს.)
    ±5V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1508 pF @ 4 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6

SIA436DJ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 31167
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.66000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.66000

Მონაცემთა ფურცელი