SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    12A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    18mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    570 pF @ 15 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SC-70-6

SIA418DJ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 23107
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.45000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.45000

Მონაცემთა ფურცელი