SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    8A
  • rds on (max) @ id, vgs
    22mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    27nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1010pF @ 10V
  • სიმძლავრე - მაქს
    19.8W, 21.9W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7980DP-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19901
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.05000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.05000

Მონაცემთა ფურცელი