SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 30V 36A 8SO

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    36A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    3.3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    285 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    9685 pF @ 15 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-SO
  • პაკეტი / ქეისი
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4497DY-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11039
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.97000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.97000

Მონაცემთა ფურცელი