სპეციფიკაციები

• სერია
  TrenchFET® Gen III
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  P-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  20 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  15.4A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs
  14mOhm @ 9A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  1V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  99 nC @ 8 V
• vgs (მაქს.)
  ±8V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  3250 pF @ 10 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  5W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-SOIC
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)