SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    200 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    380mA (Ta)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.35Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    12 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    510 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    750mW (Ta)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    SOT-23-3 (TO-236)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2327DS-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 6696
რაოდენობა:
სამიზნე ფასი:
სულ:0

Მონაცემთა ფურცელი