IRFIBF30GPBF

IRFIBF30GPBF

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    900 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    1.9A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    3.7Ohm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    78 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1200 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    35W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRFIBF30GPBF მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 8827
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
3.79000
სამიზნე ფასი:
სულ:3.79000

Მონაცემთა ფურცელი