IRF520PBF

IRF520PBF

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    100 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    9.2A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    270mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    360 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    60W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220AB
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

IRF520PBF მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19576
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.07000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.07000

Მონაცემთა ფურცელი