TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

მწარმოებელი

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    DTMOSIV
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    650 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    5.8A (Ta)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.05Ohm @ 2.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 180µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    390 pF @ 300 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    60W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    I-PAK
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

TK6Q65W,S1Q მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 18605
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.13040
სამიზნე ფასი:
სულ:1.13040

Მონაცემთა ფურცელი