სპეციფიკაციები

• სერია
  π-MOSVII
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  650 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  2.5A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  2.51Ohm @ 1.3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4.4V @ 1mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  11 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±30V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  490 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  35W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-220SIS
• პაკეტი / ქეისი
  TO-220-3 Full Pack