TK17E65W,S1X

TK17E65W,S1X

მწარმოებელი

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220

სპეციფიკაციები

  • სერია
    DTMOSIV
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    650 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    17.3A (Ta)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    200mOhm @ 8.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 900µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1800 pF @ 300 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    165W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

TK17E65W,S1X მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12511
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
2.59380
სამიზნე ფასი:
სულ:2.59380

Მონაცემთა ფურცელი