TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

მწარმოებელი

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

პროდუქტის კატეგორია

მეხსიერება

აღწერა

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Benand™
  • პაკეტი
    Tray
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • მეხსიერების ტიპი
    Non-Volatile
  • მეხსიერების ფორმატი
    FLASH
  • ტექნოლოგია
    FLASH - NAND (SLC)
  • მეხსიერების ზომა
    4Gb (512M x 8)
  • მეხსიერების ინტერფეისი
    Parallel
  • საათის სიხშირე
    -
  • ჩაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი
    25ns
  • წვდომის დრო
    25 ns
  • ძაბვა - მიწოდება
    1.7V ~ 1.95V
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    67-VFBGA
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 7302
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
4.74000
სამიზნე ფასი:
სულ:4.74000

Მონაცემთა ფურცელი