სპეციფიკაციები

• სერია
  LinCMOS™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• გამაძლიერებლის ტიპი
  J-FET
• სქემების რაოდენობა
  2
• გამომავალი ტიპი
  -
• მკვლელობის მაჩვენებელი
  20.7V/µs
• მიიღეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი
  3 MHz
• - 3db გამტარობა
  -
• მიმდინარე - შეყვანის მიკერძოება
  30 pA
• ძაბვა - შეყვანის ოფსეტური
  650 µV
• მიმდინარე - მიწოდება
  4.8mA (x2 Channels)
• მიმდინარე - გამომავალი / არხი
  80 mA
• ძაბვა - მიწოდება, ერთჯერადი/ორმაგი (±)
  10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
• ოპერაციული ტემპერატურა
  0°C ~ 70°C (TA)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-SOIC