STP7NK80Z

STP7NK80Z

მწარმოებელი

STMicroelectronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB

სპეციფიკაციები

  • სერია
    SuperMESH™
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    800 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    5.2A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.8Ohm @ 2.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 100µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    56 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1138 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    125W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220AB
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

STP7NK80Z მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11951
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
2.73000
სამიზნე ფასი:
სულ:2.73000

Მონაცემთა ფურცელი