სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ამოძრავებული კონფიგურაცია
  Half-Bridge
• არხის ტიპი
  Independent
• მძღოლების რაოდენობა
  2
• კარიბჭის ტიპი
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• ძაბვა - მიწოდება
  17V (Max)
• ლოგიკური ძაბვა - vil, vih
  1.1V, 1.8V
• დენი - მაქსიმალური გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა)
  400mA, 650mA
• შეყვანის ტიპი
  Inverting
• მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (ჩამტვირთავი)
  600 V
• აწევის/დაცემის დრო (ტიპი)
  70ns, 40ns
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  -