სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  SiCFET (Silicon Carbide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1200 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  18V
• rds on (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 900µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (მაქს.)
  +22V, -6V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  463 pF @ 800 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  85W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  175°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-247
• პაკეტი / ქეისი
  TO-247-3