NTDV5805NT4G

NTDV5805NT4G

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    40 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    51A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    80 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1.725 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    -
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    DPAK
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTDV5805NT4G მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 31219
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.33000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.33000

Მონაცემთა ფურცელი