NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    600 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    11A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    26 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±25V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    790 pF @ 50 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    114W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    I-PAK
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N360U1-35G მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19425
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.08000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.08000

Მონაცემთა ფურცელი