MMDF2P02ER2

MMDF2P02ER2

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

P-CHANNEL POWER MOSFET

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    2 P-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    25V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    2.5A
  • rds on (max) @ id, vgs
    250mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    15nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    475pF @ 16V
  • სიმძლავრე - მაქს
    2W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-SOIC

MMDF2P02ER2 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 34864
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.59000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.59000

ჯვარედინი ცნობები