ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    UltraFET™
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    75A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.5mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    300 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    11 pF @ 15 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    345W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

ISL9N302AP3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19174
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.09000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.09000

Მონაცემთა ფურცელი