სპეციფიკაციები

• სერია
  HEXFET®
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  200 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  43A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  54mOhm @ 26A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  91 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  -
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  -
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-262
• პაკეტი / ქეისი
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA