სპეციფიკაციები

• სერია
  HEXFET®
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  20 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  2.7V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (მაქს.)
  ±12V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  650 pF @ 15 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  2.5W (Ta)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-SO
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)