სპეციფიკაციები

• სერია
  HEXFET®
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  2 N-Channel (Dual)
• ფეხის ფუნქცია
  Logic Level Gate
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  20V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  5.2A
• rds on (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  660pF @ 15V
• სიმძლავრე - მაქს
  2W
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-SO