FZ800R45KL3B5NOSA2

FZ800R45KL3B5NOSA2

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

FZ800R45 - IGBT MODULE

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    Trench Field Stop
  • კონფიგურაცია
    Half Bridge
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    4.5 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    1.6 A
  • სიმძლავრე - მაქს
    9 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.85V @ 15V, 800A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    5 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    3.1 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    No
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -50°C ~ 125°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FZ800R45KL3B5NOSA2 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 897
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1828.25000
სამიზნე ფასი:
სულ:1828.25000

Მონაცემთა ფურცელი