FQB7P06TM

FQB7P06TM

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    QFET®
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    60 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    7A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    410mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±25V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    295 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.75W (Ta), 45W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    D²PAK (TO-263AB)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB7P06TM მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 38581
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.53000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.53000

Მონაცემთა ფურცელი