FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

FF200R12 - IGBT MODULE

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    -
  • კონფიგურაცია
    2 Independent
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    1.2 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    -
  • სიმძლავრე - მაქს
    1.05 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    5 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    No
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 125°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FF200R12KT3EHOSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 1475
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
94.04000
სამიზნე ფასი:
სულ:94.04000

Მონაცემთა ფურცელი