სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tray
• ნაწილის სტატუსი
  Obsolete
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  600 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  17A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  610mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  46 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±30V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  1200 pF @ 30 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  2.5W (Ta), 170W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-3PB
• პაკეტი / ქეისი
  TO-3P-3, SC-65-3