სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tray
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• დიოდის ტიპი
  Silicon Carbide Schottky
• ძაბვა - dc საპირისპირო (vr) (მაქს)
  1200 V
• მიმდინარე - საშუალო გასწორებული (io)
  61A (DC)
• ძაბვა - წინ (vf) (max) @ თუ
  1.75 V @ 40 A
• სიჩქარე
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  0 ns
• მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ vr
  200 µA @ 1200 V
• ტევადობა @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  Die
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  Die
• სამუშაო ტემპერატურა - შეერთება
  -55°C ~ 175°C