FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

მწარმოებელი

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - ერთჯერადი

აღწერა

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Last Time Buy
  • igbt ტიპის
    NPT and Trench
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    1000 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    50 A
  • მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
    200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 60A
  • სიმძლავრე - მაქს
    156 W
  • გადართვის ენერგია
    -
  • შეყვანის ტიპი
    Standard
  • კარიბჭის მუხტი
    257 nC
  • td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
    34ns/243ns
  • ტესტის მდგომარეობა
    600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
    75 ns
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-3P-3, SC-65-3
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-3P

FGA50N100BNTD2 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 7714
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
7.29000
სამიზნე ფასი:
სულ:7.29000

Მონაცემთა ფურცელი