სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Bag
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  100 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  20A
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  5V
• rds on (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (მაქს.)
  ±15V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  Logic Level Gate, 4V Drive
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  105W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  175°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-220
• პაკეტი / ქეისი
  TO-220-3