სპეციფიკაციები

• სერია
  TrenchMOS™
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  40 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  200A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1.8mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.05V @ 1mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  109 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±20V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  7966 pF @ 20 V
• ფეხის ფუნქცია
  Schottky Diode (Body)
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  194W (Ta)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  LFPAK56, Power-SO8
• პაკეტი / ქეისი
  SC-100, SOT-669