სპეციფიკაციები

• სერია
  TrenchMOS™
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  60 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  190mA (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  4.5Ohm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  0.43 nC @ 4.5 V
• vgs (მაქს.)
  ±20V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  20 pF @ 10 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  265mW (Ta)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-236AB
• პაკეტი / ქეისი
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3