სპეციფიკაციები

• სერია
  POWER MOS 8™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1200 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  19A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  530mOhm @ 14A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 2.5mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  300 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±30V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  9670 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  545W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Chassis Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  ISOTOP®
• პაკეტი / ქეისი
  SOT-227-4, miniBLOC