სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ამოძრავებული კონფიგურაცია
  Half-Bridge
• არხის ტიპი
  Independent
• მძღოლების რაოდენობა
  2
• კარიბჭის ტიპი
  N-Channel MOSFET
• ძაბვა - მიწოდება
  8V ~ 12.6V
• ლოგიკური ძაბვა - vil, vih
  0.8V, 2V
• დენი - მაქსიმალური გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა)
  2A, 2A
• შეყვანის ტიპი
  Non-Inverting
• მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (ჩამტვირთავი)
  175 V
• აწევის/დაცემის დრო (ტიპი)
  65ns, 65ns
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-SOIC-EP