სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• igbt ტიპის
  -
• კონფიგურაცია
  Full Bridge
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  3000 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  34 A
• სიმძლავრე - მაქს
  150 W
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
  -
• შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
  -
• შეყვანა
  Standard
• ntc თერმისტორი
  No
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  24-SMD Module, 9 Leads
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  24-SMPD