სპეციფიკაციები

• სერია
  HiPerFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  300 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  26A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  66mOhm @ 13A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4.5V @ 500µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  22 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±20V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  1.465 nF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  170W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-263AA
• პაკეტი / ქეისი
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB