სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• igbt ტიპის
  -
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  1700 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  42 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  265 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  6V @ 15V, 21A
• სიმძლავრე - მაქს
  357 W
• გადართვის ენერგია
  3.43mJ (on), 430µJ (off)
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  188 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  19ns/200ns
• ტესტის მდგომარეობა
  850V, 21A, 1Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  330 ns
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• პაკეტი / ქეისი
  TO-247-3
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-247AD (IXBH)