სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• igbt ტიპის
  -
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  1700 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  16 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  40 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  6V @ 15V, 10A
• სიმძლავრე - მაქს
  150 W
• გადართვის ენერგია
  2.5mJ (off)
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  65 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  15ns/250ns
• ტესტის მდგომარეობა
  1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  25 ns
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-263HV