IRF200B211

IRF200B211

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

სპეციფიკაციები

  • სერია
    HEXFET®, StrongIRFET™
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    200 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    12A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    170mOhm @ 7.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.9V @ 50µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    790 pF @ 50 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    80W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220AB
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

IRF200B211 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19170
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.09000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.09000

Მონაცემთა ფურცელი