IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™ G7
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    650 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    29A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    80mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 490µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    42 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1640 pF @ 400 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    167W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-HSOF-8-2
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerSFN

IPT60R080G7XTMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 8276
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
6.86000
სამიზნე ფასი:
სულ:6.86000

Მონაცემთა ფურცელი