IPS70R2K0CEAKMA1

IPS70R2K0CEAKMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    700 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    4A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 70µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    7.8 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    163 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    Super Junction
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    42W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO251-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

IPS70R2K0CEAKMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 28760
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.72000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.72000

ჯვარედინი ცნობები

Მონაცემთა ფურცელი