IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2N-CH 8TDSON

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    40V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    20A
  • rds on (max) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 30µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    50nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    3980pF @ 25V
  • სიმძლავრე - მაქს
    65W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount, Wettable Flank
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerVDFN
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TDSON-8-10

IPG20N04S4L07AATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11500
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.87000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.87000

Მონაცემთა ფურცელი