IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™ P6
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    600 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    23.8A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    160mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 750µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    44 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2080 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    176W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    D²PAK (TO-263AB)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB60R160P6ATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11331
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.91852
სამიზნე ფასი:
სულ:1.91852

Მონაცემთა ფურცელი