IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    OptiMOS™
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    22A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    14.6mOhm @ 22A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 10µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    14 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±16V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    980 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    31W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO263-3-2
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB22N03S4L15ATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 20141
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.03635
სამიზნე ფასი:
სულ:1.03635

Მონაცემთა ფურცელი