IPAW60R360P7SXKSA1

IPAW60R360P7SXKSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 650V 9A TO220

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™ P7
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    650 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    9A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    360mOhm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 140µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    13 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    555 pF @ 400 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    22W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO220 Full Pack
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3 Full Pack

IPAW60R360P7SXKSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 17480
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.21000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.21000

Მონაცემთა ფურცელი